單片機方案開發(fā)商深圳英銳恩分享PIC16C71,16C84單片機應用中問題和對策。

一：PIC16C71單片機的問題和對策

問題1：在芯片進入低功耗睡眠模式 (SLEEP MODE)后，其振蕩腳將處于浮態(tài)，這將使芯片的睡眠功耗上升，比原手冊中的指標高了10μA以上。

對策：在振蕩腳OSC1和地 (GND)之間加一10MΩ電阻可防止OSC1進入浮態(tài)，且不會影響單片機正常振蕩。

問題2：RA口方向寄存器TRISA目前只是一個4位寄存器，對應于RA0~RA3，并非手冊中所言是8位寄存器，對應于RA0~RA4，即RA4并沒有相應的輸入/輸出方向控制位，它是一個具有開極輸出，施密特輸入I/O腳。

對策：避免使用對RA口進行讀-修改-寫指令（如BCF RA， BSF RA），以免非意愿地改變RA4的輸入/輸出狀態(tài)。對于RA口的操作應采用寄存器的操作方式（MOVWF RA）。

問題3：當CPU正在執(zhí)行一條對INTCON寄存器進行讀-修改-寫指令時，如果發(fā)生中斷請求，則讀中斷例程會被執(zhí)行二次。這是因為當中斷請求發(fā)生后INTCON寄存器中的GIE位會被硬件自動清零（屏蔽所有中斷），并且程序轉入中斷例程入口（0004H）。當GIE位被清零后，如果這時正好CPU在執(zhí)行一條對INTCON的讀-修改-寫指令（如BSF INTCON等），則 GIE位還會被寫回操作重新置1，這樣會造成CPU二次進入中斷例程。

對策：如果在程序中需對INTCON的某一中斷允許位進行修改，則應事先置GIE=0

，修改完成后再恢復GIE=1。

…………..

BCF INTCON, GIE

BSF INTCON, ×××

BSF INTCON, GIE

…………..

問題4：當芯片電壓VDD加電上升時間大于100μs時，電源上電復位電路POR和電源上電延時器PWRT可能不能起正常的作用，而使芯片的復位出現(xiàn)不正常（即PC≠復位地址）。一般在這種情況下建議不要采用PWRT。

對策：如果VDD上升時間很長，此芯片一般需較長的電源上電延時，可靠的電

源上電延時方法如圖1所示，在MCLR端外接復位電路。

問題5：如果在A/D轉換中用RA3作為參考電壓輸入，則最大滿量程誤差(NFS)要大于手冊中的指標。實際情況如表1所示。

表1 A/D滿量程誤差表

二：PIC16C84單片機的問題和對策

問題1：PIC16C84單片機的內部的E2PROM數(shù)據(jù)存儲器的E/W周期偶爾會超出最大值（10ms）。

對策：在程序中應該用EECON1寄存器中的WR位來判斷寫周期的完成，或是啟用“寫周期完成中斷”功能，這兩種方法可保證寫入完成。

問題2：VDD和振蕩頻率的關系如表2所示。